TI führt NexFET? -Power Block-MOSFET Halbbrücke auf einer 3×3-mm²-Gehäusegrundfläche ein
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TI führt NexFET? -Power Block-MOSFET Halbbrücke auf einer 3×3-mm²-Gehäusegrundfläche ein(firmenpresse) - DALLAS, USA (14. März 2011) - Texas Instruments Incorporated (TI) (NYSE:TXN) hat eine neue NexFET-Power Block-MOSFET Halbbrücke in einem platzsparenden SON-Gehäuse, mit einer Grundfläche von (3 mm × 3 mm), auf den Markt gebracht. Das neue Power Block-Paket CSD86330Q3D erreicht einen Wirkungsgrad von mehr als 90 Prozent bei 15 A und verbraucht im Vergleich zu Konkurrenzprodukten, die zwei diskrete Power-MOSFETs auf 3×3-mm²-QFN-Gehäusegrundfläche erfordern, nur halb so viel Platz. Zudem bietet der Power Block gegenüber alternativen Lösungen erhebliche Vorteile hinsichtlich Verlustleistung und Ausgangsstromleistung. Er kann für Server, Desktop-PCs, Industrie-PCs und Notebooks, Netzwerkgeräte, Mobilfunkinfrastrukturen, anspruchsvolle Consumer-Anwendungen und kommerzielle Stromversorgungen eingesetzt werden. Weitere Informationen finden Sie unter www.ti.com/powerblock-preu.
Mit dem CSD86330Q3D wird die preisgekrönte Produktreihe der NexFET-Power Block-Produkte erweitert. 2010 wurde der Power Block von der Zeitschrift Electronic Products mit dem renommierten "Product of the Year Award" ausgezeichnet. Jedes Jahr wählt die Redaktion von Electronic Products einige herausragende neue Produkte aus einer Vielzahl von Neueinführungen aus. Das Produkt wurde aufgrund seines innovativen Designs und des enormen Leistungsgewinns ausgewählt. Außerdem wurde der CSD86330Q3D vom EDN Magazine zu einem "Hot 100 Product of 2010" gekürt und von den Lesern des ECN Magazine mit dem Tech Award 2010 ausgezeichnet.
Wichtigste Leistungsmerkmale und Funktionen des Power Block CSD86330Q3D:
-Die 3×3-mm²-SON-Gehäusegrundfläche ist halb so groß wie zwei diskrete MOSFETs auf 3×3-mm²-QFN-Gehäusegrundfläche.
-Das Produkt bietet einen verbesserten Wirkungsgrad bei nur 35 °C Temperaturanstieg und 15 A ohne Luftstrom.
-Dank der hohen Leistungsdichte wird bis zu 10 mm2 Platinenplatz eingespart.
-Durch doppelte Frequenz ohne erhöhte Verlustleistung werden Ausgangsfiltergröße und Kosten gegenüber alternativen Lösungen deutlich reduziert.
-Das SON-Gehäuse mit einem freiliegenden geerdeten Pad sorgt für einfaches Layout und verbesserte Wärmeleistung.
Preise und Verfügbarkeit
Der NexFET-Power Block befindet sich in Serienfertigung und ist über TI oder autorisierte Händler auf einer 3×3-mm²-SON-Gehäusegrundfläche erhältlich. Der empfohlene Verkaufspreis für den CSD86330Q3D beträgt 0,95 US-Dollar (Stückpreis bei 1.000 Einheiten). Muster und Evaluierungsmodule sind verfügbar.
Erfahren Sie mehr über die NexFET-Power-MOSFET-Technologien von TI:
-Das komplette NexFET-Portfolio finden Sie unter: www.ti.com/mosfet-pr.
-Stellen Sie Fragen und helfen Sie anderen Technikern beim Lösen von Problemen im NexFET-Forum der TI E2E? Community: www.ti.com/nexfetforum-pr.
-Informieren Sie sich über DC/DC-Controller, die für die NexFET-Technologie optimiert wurden: TP40303, TPS40304, TPS40305, TPS51217, TPS51218 und TPS53219.
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Texas Instruments (NYSE: TXN) unterstützt seine Kunden dabei, Herausforderungen intelligent zu lösen und neue elektronische Anwendungen u. a. in den Bereichen Gesundheit, Sicherheit, Umwelt und Unterhaltung zu entwickeln. Als global tätiges Halbleiterunternehmen mit Fertigungs-, Entwicklungs- bzw. Vertriebsstandorten in mehr als 30 Ländern bietet TI seinen Kunden innovative Lösungen für die Zukunft. Weitere Informationen finden Sie unter www.ti.com.
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Datum: 25.03.2011 - 09:01 Uhr
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