IBM und Samsung forschen zusammen im Bereich neuer Halbleitertechnologie
ID: 327983
IBM und Samsung forschen zusammen im Bereich neuer Halbleitertechnologie
Entwicklung neuer Halbleitertechnologie für leistungsstarke, energieeffiziente Chips im Einsatzbereich mobiler Anwendungen und für die IT- Infrastruktur
Zum ersten Mal kooperieren Forscher der Firma Samsung in der Semiconductor Research Alliance im Albany Nanotech Complex, Albany, N.Y. (USA) mit IBM Wissenschaftlern. In diesem Zentrum untersuchen die Forscher neue Materialien und Transistorstrukturen ebenso wie innovative Verbindungs- und Paketierungslösungen für die Technologie der nächsten Generation. Geplant ist, dass die Ergebnisse der gemeinsamen Aktivität weitere Steigerungen in der Siliziumleistung sowie in der Reduktion von Stromverbrauch und Größe erzielen sollen.
Die neue, von beiden Unternehmen entwickelte Prozesstechnologie soll die Marktbedeutung im mobilen Computing ebenso wie im Bereich anderer Anwendungsgebiete weiter steigern. Damit Konsumenten in Zukunft intelligentere, besser miteinander verbundene und mobilere Anwendungen zur Verfügung haben, sind essentielle Durchbrüche im Halbleiterbereich erforderlich, um Schritt zu halten mit Technologietrends wie mobilem Web und Cloud Computing und den Erwartungen der Nutzer hinsichtlich Leistungsfähigkeit und Verfügbarkeit.
Die Vereinbarung erneuert ebenfalls die gemeinsame Prozessentwicklungsvereinbarung (JDA) von IBM und Samsung im Bereich ab 20nm-Prozesstechnologie. IBM und Samsung planen die Entwicklung und Bereitstellung von fortgeschrittenen Technologien für Foundry-Kunden und leistungsfähige, energieeffiziente Chips in 20nm-Technologie und darüber hinaus. Samsungs Semiconductor R D- Center wird ebenfalls einen Beitrag zu der Entwicklung leisten.
Unsere Spitzenforscher sind Teil dieser modernen Forschung im Albany Nanotech Center", so E S Jung, Senior Vice President of Technology Development Team, System LSI Division, Samsung Electronics. "Dies soll die Bemühungen des JDAs fördern, auch in Zukunft einen Spitzenplatz in der Technologieentwicklung einzunehmen."
"Gemeinsame Innovation ist entscheidend für den Erfolg, wenn die Halbleiterbranche neue Elektronikgeräte-Typen und neue Compute-Methoden vorstellt," so Michael Cadigan, General Manager, IBM Microelectronics. "Gerade deswegen ist die Zusammenarbeit mit den Forschern von Samsung in den fundamentellen Phasen des Forschungsprozesses wichtig."
Lösungen für CMOS-Technologie in der 20- Nanometer-Generation werden auf dem Common Platform Technology Forum am 18.01.2011 im Santa Clara Convention Center in USA vorgestellt. Weitere Informationen zu dem Forum sind unter folgendem Link verfügbar: www.commonplatform.com.
Ãœber Samsung Electronics Co.Ltd: www.samsung.de
Ãœber IBM: www.ibm.de
Zusätzliche Informationen in der original englischsprachigen Presseinformation.
Kontaktinformation
Hans-Juergen Rehm
IBM Kommunikation/Communications
+49-7034-151887
hansrehm@de.ibm.com
Datum: 13.01.2011 - 13:15 Uhr
Sprache: Deutsch
News-ID 327983
Anzahl Zeichen: 3804
pressrelations.de – ihr Partner für die Veröffentlichung von Pressemitteilungen und Presseterminen, Medienbeobachtung und Medienresonanzanalysen
Diese Pressemitteilung wurde bisher 418 mal aufgerufen.
Die Pressemitteilung mit dem Titel:
"IBM und Samsung forschen zusammen im Bereich neuer Halbleitertechnologie"
steht unter der journalistisch-redaktionellen Verantwortung von
IBM Deutschland (Nachricht senden)
Beachten Sie bitte die weiteren Informationen zum Haftungsauschluß (gemäß TMG - TeleMedianGesetz) und dem Datenschutz (gemäß der DSGVO).
