3,3 x 3,3 mm2 großer asymmetrischer Power Clip Dual-MOSFET von Fairchild Semiconductor ermöglicht höchste Leistungsdichte und Wirkungsgrad bei Stromversorgungen
ID: 638174
Reduziert Leistungsverlust durch geringere parasitäre Gehäuseeffekte und bietet höheren Wirkungsgrad bei höherer Arbeitsfrequenz
Druckfähiges Foto auf Anfrage erhältlich.(firmenpresse) - Fürstenfeldbruck - 14. Mai 2012 - Da die Leistungsanforderungen bei hochdichten embedded DC-DC-Stromversorgungen immer mehr steigen, stehen die Ingenieure vor dem Problem, dass die Leistungsdichte und der Wirkungsgrad bei gleichzeitig weniger Platz auf der Leiterplatte erhöht werden müssen. Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) unterstützt die Entwickler bei dieser Herausforderung durch das neue FDPC8011S, ein 3,3 x 3,3 mm2 großes, asymmetrisches 25V Low-Profile Dual Power Clip N-Kanal-Modul.
Das FDPC8011S wurde speziell für einen Betrieb bei höheren Schaltfrequenzen entwickelt und enthält die 1,4 m? SyncFETTM Technologie und einen 5,4 m? N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Gütefaktor zur Steuerung in einem Clip-Gehäuse. Dadurch lässt sich die Anzahl der benötigten Kondensatoren und die Größe der Induktivität in synchronen Abwärtsregler-Anwendungen reduzieren. Die Source-Low-Side-Konfiguration des Bauteils erlaubt eine einfache Platzierung und Routing, so dass kompaktere Baugruppen-Layouts und eine optimale thermische Leistung möglich sind. Der FDPC8011S unterstützt einen Ausgangsstrom von über 25 A, was dem doppelten von anderen konventionellen 3 x 3 mm2 Dual-MOSFETs entspricht.
Weitere Informationen und Muster sind erhältlich über: http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDPC8011S.html
Funktionen und Vorteile:
-N-Kanal-MOSFET zur Steuerung mit RDS(ON) = 5,4 m? typisch, (7,3 m? max.) bei VGS = 4,5 V
-Synchroner N-Kanal-MOSFET mit RDS(ON) = 1,4 m? typisch, (2,1 m? max.) bei VGS = 4,5 V
-Gehäuse mit geringer Induktivität, dadurch kürzere Anstiegs-/Abfallzeiten und niedrigere Schaltverluste
-MOSFET-Integration ermöglicht ein optimales Layout für eine geringe Schaltungsinduktivität und reduziert unkontrolliertes Schwingen
-RoHS-konform
Der 3.3x3.3mm2 große asymmetrische Power Clip Dual MOSFET ist Teil eines umfassenden Portfolios fortschrittlicher MOSFET-Technologie, die den Entwicklern von Leistungselektronik verschiedene Lösungen für unternehmenskritische Anwendungen zur Informationsverarbeitung mit hohem Wirkungsgrad zur Verfügung stellt.
Fairchild Semiconductor: Solutions for Your SuccessTM.
Preis:1,60 US-Dollar ab 1.000 Stück
Verfügbarkeit: Muster sind auf Anfrage ab sofort erhältlich.
Lieferzeit: 8-12 Wochen
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Weitere Informationen über dieses Produkt erhalten Sie von Fairchild Semiconductor unter: http://www.fairchildsemi.com/cf/sales_contacts/.
Informationen über andere Produkte, Design-Tools und Vertriebspartner erhalten Sie unter: http://www.fairchildsemi.com.
Anmerkungen für die Redaktion: Ein Datenblatt im PDF-Format finden Sie unter:
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Über Fairchild Semiconductor:
Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) - weltweite Präsenz, lokale Unterstützung, clevere Ideen. Fairchild liefert energieeffiziente, einfach einsetzbare und wertsteigernde Halbleiter-Lösungen für Leistungselektronik und mobile Designs. Mit unserer Erfahrung in den Bereichen Leistungselektronik und Signalpfad unterstützen wir unsere Kunden bei der Differenzierung ihrer Produkte und der Lösung schwieriger technischer Herausforderungen. Weitere Informationen zum Unternehmen erhalten Sie unter: www.fairchildsemi.com.
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Lucy Turpin Communications
Birgit Fuchs-Laine
Prinzregentenstr. 79
81675 München
fairchild.eu(at)lucyturpin.com
089-417761-13
http://www.lucyturpin.com
Datum: 14.05.2012 - 14:55 Uhr
Sprache: Deutsch
News-ID 638174
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Kontakt-Informationen:
Ansprechpartner: Birgit Fuchs-Laine
Stadt:
Fürstenfeldbruck
Telefon: 089-417761-13
Kategorie:
Elektro- und Elektronik
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