Hochvolt-MOSFETs mit sehr robuster Body-Diode von Fairchild Semiconductor bieten höchste Leistungsfähigkeit für AC-DC-Leistungsanwendungen

SuperFET® II MOSFETs gewährleisten höheren Wirkungsgrad und Zuverlässigkeit und sparen gleichzeitig Systemkosten und Leiterplattenfläche

(firmenpresse) - Fürstenfeldbruck - 12. Dezember 2012 - Highend AC-DC-Schaltnetzteile (SMPS), die beispielsweise in Server-, Telekommunikations-, Computer- und industrielle Leistungsanwendungen eingesetzt werden, erfordern eine hohe Leistungsdichte. Zudem benötigen die Entwickler kostengünstige Lösungen, die weniger Leiterplattenfläche beanspruchen und die Zuverlässigkeit verbessern. Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) unterstützt die Entwickler bei diesen Herausforderungen mit der neuen 600 V N-Kanal-SuperFET® II MOSFET-Serie.

Die MOSFETS sind in zwei Produktfamilien erhältlich, SuperFET II und SuperFET II Easy Drive, die sich durch eine geringere gespeicherte Energie in der Ausgangskapazität (Eoss) auszeichnen, was einen höheren Wirkungsgrad bei geringer Last ermöglicht. Außerdem gewährleistet die erstklassige robuste Body-Diode eine erhöhte Systemzuverlässigkeit in Resonanzwandlern.

Durch den Einsatz einer fortschrittlichen Ladungsgleichgewichtstechnologie erreichen diese MOSFETs einen merklich niedrigeren Durchlasswiderstand und eine geringere Gate-Ladung (Qg), so dass sich ein niedrigerer Gütefaktor (FOM) ergibt. Die Bauteile beinhalten mehrere integrierte Funktionen, welche das Design vereinfachen und die Anzahl der benötigten Komponenten reduzieren. Dadurch ergibt sich ein effizienteres, kostengünstigeres Design einschließlich eines Gate-Widerstands (Rg), welcher die Gate-Oszillation deutlich verringert und die Leistung des Gesamtsystems verbessert.

Vorteile und Merkmale:

SuperFET II MOSFET
- Höhere Schaltgeschwindigkeit für maximale Systemeffizienz
- Erhöhte Leistungsdichte

SuperFET II MOSFET Easy-Drive
- Einfaches Design und Einsatz
- Optimiertes Schaltverhalten
- Geringe elektromagnetische Störungen (EMI)
- Zuverlässiger Betrieb bei anormalen Betriebsbedingungen

Gehäusetypen und Preise (in USD ab 1.000 Stück)

SuperFET-II-MOSFET
TO-220-3L Gehäuse:


FCP190N60: $3,30
FCP380N60: $2,13

TO-220F-3L Gehäuse:
FCPF190N60: $3,25
FCPF380N60: $2,13
FCPF400N60: $2,05

TO-251 3L (IPAK) Gehäuse mit kurzen Anschlüssen:
FCU900N60Z: $1,10

SuperFET-II-MOSFET - Easy Drive
TO-220-3L Gehäuse:
FCP190N60E: $3,30
FCP380N60E: $2,13

TO-220F-3L Gehäuse:
FCPF380N60E: $2,13


Muster sind auf Anfrage erhältlich - Lieferzeit ca. 8-12 Wochen


Fairchild ist ein führender Anbieter von MOSFETs für Leistungsmanagement-Anwendungen und verfügt über ein umfangreiches Portfolio von diskreten und integrierten Bauteilen, die praktisch alle Anforderungen sowohl für die Energieversorgung als auch für die Energieumwandlung erfüllen. Neben einem ausgezeichneten Produktspektrum bietet Fairchild auch regionale Design-Unterstützung sowie online Design-Tools zur Unterstützung der Hersteller bei ihren Design-Herausforderungen an.

Fairchild Semiconductor: Solutions for Your SuccessTM

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Datum: 12.12.2012 - 15:02 Uhr
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Telefon: 089-417761-13

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