Shorted-Anode-IGBTs von Fairchild Semiconductor bieten hohe Zuverlässigkeit und überlegenes Schaltverhalten für Hochleistungs-Induktionsheizungen

Hochvolt-IGBTs reduzieren die Systemkosten, Baugröße undLeistungsverluste

(firmenpresse) - Fürstenfeldbruck - 25. Februar 2013 - Leistungsfähige Hochfrequenz-Induktionsheizungen (IH) erfordern niedrigere Leitungsverluste und ein erstklassiges Schaltverhalten, um einen hohen Wirkungsgrad und Systemzuverlässigkeit in Anwendungen wie IH-Reiskochern, Induktionskochplatten und Frequenzumrichter-basierten Mikrowellenherden zu erreichen. Mit den Hochvolt Field-Stop-Shorted-Anode-Trench-IGBTs bietet Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) den Entwicklern eine sehr effiziente und kostengünstige Lösung für diese Design-Herausforderungen.

Die neue Produktfamilie ist für Spannungen von 1.100 bis 1.400 V ausgelegt und verfügt über eigenleitende antiparallele Dioden und wurde für Soft-Switching-Anwendungen optimiert. Durch Fortschritte gegenüber der konventionellen NPT-IGBT-Technologie (non-punch-through) zeichnet sich die neue Shorted-Anode-Silicon-Technologie von Fairchild durch eine um mehr als 12 Prozent geringere Sättigungsspannung aus als vergleichbare NPT-Trench-IGBTs. Im Gegensatz zu IGBTs von anderen Anbietern hat diese Produktfamilie zusätzlich einen um mehr als 20 Prozent niedrigeren Reststrom. Durch diese Merkmale erreichen die IGBTs von Fairchild ein besser thermisches Verhalten, höheren Wirkungsgrad und geringere Leistungsverluste.

Funktionen und Vorteile:

- Schalt-Frequenzbereich: 10 bis 50 kHz

- Derzeit niedrigster Reststrom und damit Reduzierung der Schaltverluste (FGA20S140P)

- Geringere Sättigungsspannung gegenüber bestehenden NPT-Trench-IGBTs

- Zuverlässige Topf-Erkennung durch hohe Störimmunität

- Stabiles Verhalten bei hohen Temperaturen: Tj(max) = 175°C

- RoHS-konform (bleifreie Pin-Beschichtung)

Gehäusetypen und Preise (in USD ab 1.000 Stück)

Muster sind auf Anfrage erhältlich - Lieferzeit ca. 8-12 Wochen

Verfügbar in einem TO-3P 3L Gehäuse:

- 1250V FGA20S125P$2,03
- 1250V FGA25S125P$2,03
- 1300V FGA30S120P$5,25


- 1400V FGA20S140P$2,25

Verfügbar in einem TO-247 3L-Gehäuse:

- 1300V FGH30S130P$3,40

Die Field-Stop-Shorted-Anode-Trench-IGBTs von Fairchild Semiconductor nutzen führende Technologien, um die Herausforderungen der heutigen Designs hinsichtlich Energieeffizienz und Formfaktor zu erfüllen. Die Bauteile sind Teil der energieeffizienten analogen und diskreten Leistungsbauteile sowie Optoelektronik-Lösungen von Fairchild, die eine maximale Energieeinsparung in energiesensitiven Anwendungen ermöglichen.

Fairchild Semiconductor: Solutions for Your SuccessTM


Anmerkungen für die Redaktion: Ein Datenblatt im PDF-Format finden Sie unter:

http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGA20S125P.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGA25S125P.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGA30S120P.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGA20S140P.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGH30S130P.pdf

Anmerkung für die Redaktion: Druckfähiges Bild auf Anfrage erhältlich

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Datum: 25.02.2013 - 10:50 Uhr
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