Fairchild Semiconductor stellt 20V MicroFETTM MOSFET mit derzeit niedrigstem RDS(ON) Wert vor
ID: 85077
Fairchild Semiconductor stellt 20V MicroFETTM MOSFET mit derzeit niedrigstem RDS(ON) Wert vor
Fürstenfeldbruck ? 22. April 2009 - Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) stellt für die Entwickler von portablen Anwendungen einen nur 2 mm x 2 mm x 0,55 mm großen 20V MicroFET MOSFET vor, der sich durch den derzeit niedrigsten RDS(ON) Wert auszeichnet. Der FDMA6023PZT ist ein zweifacher P-Kanal-MOSFET in einem kompakten, extrem flachen Gehäuse, das speziell im Hinblick auf die Herausforderungen von portablen Designs entwickelt wurde und damit die Realisierung von sehr dünnen und kleinen Anwendungen mit stromsparender Technologie ermöglicht. Der FDMA6023PZT nutzt ein ultradünnes MicroFET-Gehäuse mit offenliegendem Lead-Frame und sehr niedrigem Wärmewiderstand, das für eine optimale Wärmeabführung sorgt und damit die Leitungsverluste gegenüber konventionellen MOSFETs deutlich reduziert. Das Bauteil wurde auf der Basis der fortschrittlichen PowerTrench® MOSFET-Prozesstechnologie von Fairchild entwickelt. Diese Technologie gewährleistet außerordentlich niedrige Werte bei RDS(ON), Gate-Ladung (QG) und Miller-Ladung (QGD) ? entscheidende Verbesserungen, die eine überlegene Stromleitung und Schaltleistung ermöglichen.
Der FDMA6023PZT ist Teil eines umfassenden Portfolios von MicroFET MOSFETs, die speziell im Hinblick auf die Herausforderungen von Leistungs-Designs in den heutigen portablen Anwendungen entwickelt wurden. Das Portfolio umfasst den FDMA1027PT, einen 20V P-Kanal-PowerTrench-MOSFET und den FDFMA2P853T, einen 20V P-Kanal-PowerTrench-MOSFET mit einer Schottky Diode. Die Produkte sind um 55 Prozent kleiner und nur halb so hoch wie die 3 mm x 3 mm x 1,1 mm großen MOSFETs, die normalerweise in Low-Voltage-Designs eingesetzt werden.
Preis (pro Stück ab 1.000 Stück): $0,48
Verfügbarkeit: Muster sind ab sofort verfügbar
Lieferzeit: 8-10 Wochen
Kontakt:
Weitere Informationen über dieses Produkt erhalten Sie von Fairchild Semiconductor unter: http://www.fairchildsemi.com/cf/sales_contacts/ .
Informationen über andere Produkte, Design-Tools und Vertriebspartner erhalten Sie unter: http://www.fairchildsemi.com .
Ãœber Fairchild Semiconductor:
Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) ist ein weltweit führender Anbieter von innovativen Leistungshalbleitern für Anwendungen in der Computer- und Kommunikationstechnik, sowie der Consumer-, Industrie- und Automotive-Elektronik. Als "The Power Franchise®" bietet Fairchild das derzeit breiteste Portfolio von diskreten und analogen Leistungsprodukten zur Optimierung der Systemleistung, sowie von ergänzenden Signalwegkomponenten an. In 2007 feiert Fairchild sowohl sein 50stes, als auch 10tes Firmenjubiläum - 10 Jahre als neues eigenständiges Unternehmen und 50 Jahre seit der ersten Gründung des Unternehmens. Als einer der "Halbleiter-Pioniere des Silicon Valley" entwickelte Fairchild 1958 den Planar-Transistor - und damit eine neue Industrie. Heute ist Fairchild ein Anwendungs- und Lösungs-orientierter Produktanbieter, der weltweit Online Design-Tools und Design-Zentren als Teil seiner umfassenden Global Power ResourceSM anbietet.
Im Internet finden Sie das Unternehmen unter: www.fairchildsemi.com .
Pressekontakt:
Lucy Turpin Communications
Birgit Fuchs-Laine, Iris Reitmeier
Tel.: 089-41 77 61 13/18
Email: fairchild.eu@lucyturpin.com
Datum: 22.04.2009 - 16:41 Uhr
Sprache: Deutsch
News-ID 85077
Anzahl Zeichen: 0
pressrelations.de – ihr Partner für die Veröffentlichung von Pressemitteilungen und Presseterminen, Medienbeobachtung und Medienresonanzanalysen
Diese Pressemitteilung wurde bisher 339 mal aufgerufen.
Die Pressemitteilung mit dem Titel:
"Fairchild Semiconductor stellt 20V MicroFETTM MOSFET mit derzeit niedrigstem RDS(ON) Wert vor"
steht unter der journalistisch-redaktionellen Verantwortung von
Lucy Turpin Communications High Tech PR & MarCom Agency (Nachricht senden)
Beachten Sie bitte die weiteren Informationen zum Haftungsauschluß (gemäß TMG - TeleMedianGesetz) und dem Datenschutz (gemäß der DSGVO).
