ROHM Co., Ltd.

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ROHM veröffentlicht neues kompaktes PFC- und Flyback-Steerungs-Referenzdesign für die Stromversorgung


ROHM Co., Ltd. hat ein neues Referenzdesign (REF67004) entwickelt, welches eine einzige MCU zur Steuerung von zwei häufig verwendeten Stromwandlertypen für Verbraucher- und Industrienetzteile verwendet: PFC (Leistungsfaktorkorrektur) im kritischen Durchlassmodus und quasi-resonantes Flyback. Als T ...


24.09.2025 | Finanzwesen


ROHM hat einen ultrakompakten CMOS-Operationsverstärker entwickelt: mit branchenweit führendem extrem niedrigen Betriebsstrom


ROHM Co., Ltd. hat bekannt gegeben, dass sein ultrakompakter CMOS-Operationsverstärker (Op-Amp) TLR1901GXZ den branchenweit niedrigsten Betriebsschaltkreisstrom (*1) aufweist. Dieser IC ist für den Einsatz als Mess- und Sensorverstärker in Anwendungen mit begrenzten Platzverhältnissen optimiert, ...


11.09.2025 | Finanzwesen


ROHM entwickelt ultrakompakten MOSFET mit branchenweit niedrigstem ON-Widerstand, ideal für Schnellladeanwendungen


ROHM Co., Ltd. hat den AW2K21 auf den Markt gebracht, einen 30V N-Kanal-MOSFET in einer Common-Source-Konfiguration, der einen branchenweit besten* ON-Widerstand von 2,0 Milliohm (typisch) in einem kompakten 2,0 mm x 2,0 mm WLCSP-Gehäuse bietet. Diese Innovation erfüllt die wachsende Nachfrage nac ...


25.08.2025 | Finanzwesen


ROHM stellt neuen MOSFET für KI-Server mit branchenführender SOA-Leistung und niedrigem ON-Widerstand vor


-Geprüft von einem großen globalen Cloud-Plattform-Anbieter- ROHM hat den RY7P250BM, einen 100-V-Leistungs-MOSFET herausgebracht, der für Hot-Swap-Schaltungen in 48-V-Stromversorgungssystemen optimiert ist, wie sie in KI-Servern und industriellen Netzteilen mit Batterieabsicherung zum Einsatz ko ...


02.07.2025 | Finanzwesen


ROHM entwickelt neue SiC-Leistungsmodule mit hoher Leistungsdichte


- Kompaktes Design mit hoher Wärmeableitung setzt neuen Standard für OBC - ROHM Co., Ltd. hat neue 4-in-1- und 6-in-1-SiC-Gussmodule im HSDIP20-Gehäuse für Leistungsfaktor-Korrekturschaltungen (PFC) und LLC-Resonanzwandler (LLC) entwickelt, die im Onboard-Ladegerät (OBC) für Elektrofahrzeuge ...


28.04.2025 | Finanzwesen


Die „Power Eco Family" von ROHM: Pionierarbeit für Stromversorgungslösungen der nächsten Generation


ROHM Co., Ltd. kündigte am 19. März sein Engagement für die Bewältigung gesellschaftlicher Herausforderungen durch Elektronik an. Dabei konzentriert es sich auf die Entwicklung von Leistungshalbleitern, die bei der Verbesserung der Effizienz von Hochleistungsanwendungen eine entscheidende Rolle ...


24.03.2025 | Finanzwesen


ROHMs Audio-DAC-Chip der zweiten Generation der MUS-IC(TM)-Serie für hochauflösende Audiowiedergabe mit exklusivem HD-Mono-Modus


- Liefert ein authentisches Hörerlebnis, indem es drei Elemente des räumlichen Nachhalls, der Ruhe und des Dynamikbereichs zum Ausdruck bringt und gleichzeitig die natürliche „Textur" von Musikinstrumenten bewahrt - ROHM hat einen 32-Bit-D/A-Wandler-IC (DAC-Chip) und eine Evaluierungsplat ...


23.01.2025 | Finanzwesen


ROHM entwickelt Hochleistungs-Infrarot-Laserdiode der 1kW-Klasse


-125W × 8-Kanal-Hochleistungs-Array verbessert deutlich Messabstand und Auflösung in LiDAR-Anwendungen- KYOTO, Japan, 8. Januar 2025 /PRNewswire/ – ROHM hat die Hochleistungs-Laserdiode RLD8BQAB3 für LiDAR-ausgestattete fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme (ADAS) entwickelt, um eine präzis ...


08.01.2025 | Finanzwesen


Valeo und ROHM Semiconductor entwickeln gemeinsam Leistungselektronik der nächsten Generation


- Kombiniertes Fachwissen für leistungsstarke Antriebsstränge - ROHM Semiconductor GmbH, ein Unternehmen der ROHM Co., Ltd. und ein führender Hersteller von Halbleitern und elektronischen Komponenten in Japan, wird sein 2-in-1-Siliziumkarbid (SiC)-Gussmodul, das TRCDRIVE pack (TM), an Valeo S.A. ...


29.11.2024 | Auto & Verkehr


Neuer Kurzfilm wirft einen Blick hinter die Kulissen der Entwicklung von GaN-Leistungshalbleitern der nächsten Generation


- GaN leicht anwendbar machen: Technische Herausforderungen von F&E bis zur praktischen Anwendung - ROHM Co., Ltd. hat den sechsten deutschsprachigen Teil der Kurzfilmreihe „Geschichten aus der Fertigung" veröffentlicht, der die Zuschauer diesmal hinter die Kulissen der Entwicklung von ...


01.10.2024 | Finanzwesen


ROHMs SiC MOSFET Bare Chips der 4. Generation werden in 3 EV-Modellen von ZEEKR von Geely eingesetzt


- Integration in Traktionswechselrichter erhöht die Reichweite und verbessert die Leistung - KYOTO, Japan, 9. September 2024 /PRNewswire/ – ROHM Co., Ltd. hat die Einführung von Leistungsmodulen bekannt gegeben, die mit SiC-MOSFET-Bare-Chips der 4. Generation für Traktionswechselrichter in dre ...


09.09.2024 | Auto & Verkehr


ROHM entwickelt den branchenweit kleinsten CMOS-Operationsverstärker, der für Smartphones und IoT-Geräte optimiert ist


-Geringe Eingangsoffsetspannung und geringes Rauschen tragen zu einer höheren Genauigkeit der Sensorschaltungen bei.- ROHM Co., Ltd. hat einen ultrakompakten 1,8 V bis 5 V Rail-to-Rail CMOS-Operationsverstärker, den TLR377GYZ, entwickelt, der ab dem 1. August 2024 der kleinste in der Branche ist ...


05.08.2024 | Finanzwesen


Neues „TRCDRIVE pack (TM)" von ROHM mit 2-in-1-SiC-Modul: Verringert die Größe des xEV-Wechselrichters beträchtlich


- Branchenführende* Leistungsdichte durch Integration von SiC-MOSFETs der 4. Generation in kompaktem Gehäuse ROHM Co., Ltd. hat vier Modelle als Teil der TRCDRIVE pack (TM) Serie mit 2-in-1-SiC-Modulen entwickelt (zwei mit 750 V: BSTxxxD08P4A1x4, zwei mit 1.200 V: BSTxxxD12P4A1x1), optimiert für ...


14.06.2024 | Auto & Verkehr


Neues „TRCDRIVE pack (TM)" von ROHM mit 2-in-1-SiC-Modul: Verringert die Größe des xEV-Wechselrichters beträchtlich


- Branchenführende* Leistungsdichte durch Integration von SiC-MOSFETs der 4. Generation in kompaktem Gehäuse ROHM Co., Ltd. hat vier Modelle als Teil der TRCDRIVE pack (TM) Serie mit 2-in-1-SiC-Modulen entwickelt (zwei mit 750 V: BSTxxxD08P4A1x4, zwei mit 1.200 V: BSTxxxD12P4A1x1), optimiert für ...


14.06.2024 | Auto & Verkehr


Neues „TRCDRIVE pack (TM)" von ROHM mit 2-in-1-SiC-Modul: Verringert die Größe des xEV-Wechselrichters beträchtlich


- Branchenführende* Leistungsdichte durch Integration von SiC-MOSFETs der 4. Generation in kompaktem Gehäuse ROHM Co., Ltd. hat vier Modelle als Teil der TRCDRIVE pack (TM) Serie mit 2-in-1-SiC-Modulen entwickelt (zwei mit 750 V: BSTxxxD08P4A1x4, zwei mit 1.200 V: BSTxxxD12P4A1x1), optimiert für ...


14.06.2024 | Auto & Verkehr


Neues „TRCDRIVE pack (TM)" von ROHM mit 2-in-1-SiC-Modul: Verringert die Größe des xEV-Wechselrichters beträchtlich


- Branchenführende* Leistungsdichte durch Integration von SiC-MOSFETs der 4. Generation in kompaktem Gehäuse ROHM Co., Ltd. hat vier Modelle als Teil der TRCDRIVE pack (TM) Serie mit 2-in-1-SiC-Modulen entwickelt (zwei mit 750 V: BSTxxxD08P4A1x4, zwei mit 1.200 V: BSTxxxD12P4A1x1), optimiert für ...


14.06.2024 | Auto & Verkehr


Neues „TRCDRIVE pack (TM)" von ROHM mit 2-in-1-SiC-Modul: Verringert die Größe des xEV-Wechselrichters beträchtlich


- Branchenführende* Leistungsdichte durch Integration von SiC-MOSFETs der 4. Generation in kompaktem Gehäuse ROHM Co., Ltd. hat vier Modelle als Teil der TRCDRIVE pack (TM) Serie mit 2-in-1-SiC-Modulen entwickelt (zwei mit 750 V: BSTxxxD08P4A1x4, zwei mit 1.200 V: BSTxxxD12P4A1x1), optimiert für ...


14.06.2024 | Auto & Verkehr


Neues „TRCDRIVE pack (TM)" von ROHM mit 2-in-1-SiC-Modul: Verringert die Größe des xEV-Wechselrichters beträchtlich


- Branchenführende* Leistungsdichte durch Integration von SiC-MOSFETs der 4. Generation in kompaktem Gehäuse ROHM Co., Ltd. hat vier Modelle als Teil der TRCDRIVE pack (TM) Serie mit 2-in-1-SiC-Modulen entwickelt (zwei mit 750 V: BSTxxxD08P4A1x4, zwei mit 1.200 V: BSTxxxD12P4A1x1), optimiert für ...


14.06.2024 | Auto & Verkehr


Neues „TRCDRIVE pack (TM)" von ROHM mit 2-in-1-SiC-Modul: Verringert die Größe des xEV-Wechselrichters beträchtlich


- Branchenführende* Leistungsdichte durch Integration von SiC-MOSFETs der 4. Generation in kompaktem Gehäuse ROHM Co., Ltd. hat vier Modelle als Teil der TRCDRIVE pack (TM) Serie mit 2-in-1-SiC-Modulen entwickelt (zwei mit 750 V: BSTxxxD08P4A1x4, zwei mit 1.200 V: BSTxxxD12P4A1x1), optimiert für ...


14.06.2024 | Auto & Verkehr


Neues „TRCDRIVE pack (TM)" von ROHM mit 2-in-1-SiC-Modul: Verringert die Größe des xEV-Wechselrichters beträchtlich


- Branchenführende* Leistungsdichte durch Integration von SiC-MOSFETs der 4. Generation in kompaktem Gehäuse ROHM Co., Ltd. hat vier Modelle als Teil der TRCDRIVE pack (TM) Serie mit 2-in-1-SiC-Modulen entwickelt (zwei mit 750 V: BSTxxxD08P4A1x4, zwei mit 1.200 V: BSTxxxD12P4A1x1), optimiert für ...


14.06.2024 | Auto & Verkehr


Neues „TRCDRIVE pack (TM)" von ROHM mit 2-in-1-SiC-Modul: Verringert die Größe des xEV-Wechselrichters beträchtlich


- Branchenführende* Leistungsdichte durch Integration von SiC-MOSFETs der 4. Generation in kompaktem Gehäuse ROHM Co., Ltd. hat vier Modelle als Teil der TRCDRIVE pack (TM) Serie mit 2-in-1-SiC-Modulen entwickelt (zwei mit 750 V: BSTxxxD08P4A1x4, zwei mit 1.200 V: BSTxxxD12P4A1x1), optimiert für ...


14.06.2024 | Auto & Verkehr


Neues „TRCDRIVE pack (TM)" von ROHM mit 2-in-1-SiC-Modul: Verringert die Größe des xEV-Wechselrichters beträchtlich


- Branchenführende* Leistungsdichte durch Integration von SiC-MOSFETs der 4. Generation in kompaktem Gehäuse ROHM Co., Ltd. hat vier Modelle als Teil der TRCDRIVE pack (TM) Serie mit 2-in-1-SiC-Modulen entwickelt (zwei mit 750 V: BSTxxxD08P4A1x4, zwei mit 1.200 V: BSTxxxD12P4A1x1), optimiert für ...


14.06.2024 | Auto & Verkehr


Neues „TRCDRIVE pack (TM)" von ROHM mit 2-in-1-SiC-Modul: Verringert die Größe des xEV-Wechselrichters beträchtlich


- Branchenführende* Leistungsdichte durch Integration von SiC-MOSFETs der 4. Generation in kompaktem Gehäuse ROHM Co., Ltd. hat vier Modelle als Teil der TRCDRIVE pack (TM) Serie mit 2-in-1-SiC-Modulen entwickelt (zwei mit 750 V: BSTxxxD08P4A1x4, zwei mit 1.200 V: BSTxxxD12P4A1x1), optimiert für ...


14.06.2024 | Auto & Verkehr




 

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