ROHM Co., Ltd. hat ein neues Referenzdesign (REF67004) entwickelt, welches eine einzige MCU zur Steuerung von zwei häufig verwendeten Stromwandlertyp ...
ROHM Co., Ltd. hat bekannt gegeben, dass sein ultrakompakter CMOS-Operationsverstärker (Op-Amp) TLR1901GXZ den branchenweit niedrigsten Betriebsschal ...
ROHM Co., Ltd. hat den AW2K21 auf den Markt gebracht, einen 30V N-Kanal-MOSFET in einer Common-Source-Konfiguration, der einen branchenweit besten* ON ...
-Geprüft von einem großen globalen Cloud-Plattform-Anbieter-
ROHM hat den RY7P250BM, einen 100-V-Leistungs-MOSFET herausgebracht, der für Hot-Swap ...
- Kompaktes Design mit hoher Wärmeableitung setzt neuen Standard für OBC -
ROHM Co., Ltd. hat neue 4-in-1- und 6-in-1-SiC-Gussmodule im HSDIP20-Geh ...
ROHM Co., Ltd. kündigte am 19. März sein Engagement für die Bewältigung gesellschaftlicher Herausforderungen durch Elektronik an. Dabei konzentrie ...
- Liefert ein authentisches Hörerlebnis, indem es drei Elemente des räumlichen Nachhalls, der Ruhe und des Dynamikbereichs zum Ausdruck bringt und g ...
-125W × 8-Kanal-Hochleistungs-Array verbessert deutlich Messabstand und Auflösung in LiDAR-Anwendungen-
KYOTO, Japan, 8. Januar 2025 /PRNewswire/ â ...
- Kombiniertes Fachwissen für leistungsstarke Antriebsstränge -
ROHM Semiconductor GmbH, ein Unternehmen der ROHM Co., Ltd. und ein führender Hers ...
- Integration in Traktionswechselrichter erhöht die Reichweite und verbessert die Leistung -
KYOTO, Japan, 9. September 2024 /PRNewswire/ – ROHM C ...
-Geringe Eingangsoffsetspannung und geringes Rauschen tragen zu einer höheren Genauigkeit der Sensorschaltungen bei.-
ROHM Co., Ltd. hat einen ultra ...
- Branchenführende* Leistungsdichte durch Integration von SiC-MOSFETs der 4. Generation in kompaktem Gehäuse
ROHM Co., Ltd. hat vier Modelle als Te ...
- Branchenführende* Leistungsdichte durch Integration von SiC-MOSFETs der 4. Generation in kompaktem Gehäuse
ROHM Co., Ltd. hat vier Modelle als Te ...
- Branchenführende* Leistungsdichte durch Integration von SiC-MOSFETs der 4. Generation in kompaktem Gehäuse
ROHM Co., Ltd. hat vier Modelle als Te ...
- Branchenführende* Leistungsdichte durch Integration von SiC-MOSFETs der 4. Generation in kompaktem Gehäuse
ROHM Co., Ltd. hat vier Modelle als Te ...
- Branchenführende* Leistungsdichte durch Integration von SiC-MOSFETs der 4. Generation in kompaktem Gehäuse
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ROHM Co., Ltd. hat vier Modelle als Te ...