Neues von setron: Neuer N-Kanal Leistungs-MOSFET TSM600N25E von Taiwan Semiconductor

(PresseBox) - Taiwan Semiconductor stellt den neuen N-Kanal Leistungs-MOSFET TSM600N25E vor. Der neue Baustein zeichnet sich durch eine Drain-Source-Spannung VDS von 250 V aus und weist einen Drainstrom ID von 8 A sowie einen maximalen Durchgangswiderstand RDS(ON) von 0,6 ? auf. Ein verbesserter ESD-Schutz gehört ebenfalls zu seinen Ausstattungsmerkmalen. Mit seiner niedrigen Gateladung Qg von 8,4 nC eignet er sich hervorragend für einen Einsatz in Spannungsversorgungen und der Beleuchtungstechnik.
Über Ihre Berichterstattung freuen wir uns und bitten Sie, uns bei Veröffentlichung 1 Belegexemplar oder eine Info zukommen zu lassen.



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Datum: 11.12.2014 - 10:17 Uhr
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