Wolfspeed erreicht neuen Meilenstein: GaN-RF-Bausteine mit insgesamt 1,3 GW Ausgangsleistung ausgeliefert
Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree, hat Ende 2015 einen neuen Meilenstein erreicht: Das Unternehmen hat GaN-on-SiC-Leistungstransistoren mit einer Gesamtleistung von 1,3 Gigawatt (GW) ausgeliefert.
Zum Vergleich: 1,3 GW entsprechen der Leistung, die benötigt wird, um alle mit LEDs beleuchteten Straßen in Los Angeles für 22 Jahre oder mehr als 124.000 amerikanische Haushalte ein Jahr lang mit Energie zu versorgen.
"Die Erfolge von Wolfspeed mit mehr als 100 Milliarden Stunden Feldeinsatz für GaN-on-SiC-Bausteine ist die größte bekannte Datenmenge aus einem Praxiseinsatz, die je ein amerikanischer Anbieter von GaN-Lösungen gesammelt hat. Diese beinhaltet nicht nur diskrete Transistoren, sondern auch komplexe, mehrstufige GaN-MMICs", so Jim Milligan, RF and Microwave Director bei Wolfspeed und führt weiter aus: "Unsere Produktionszahlen spiegeln die zunehmende Verbreitung von GaN-on-SiC RF-Technologie in Telekommunikations-Basissystemen, Breitband-Prüfsystemen, Militär- und Luftfahrtsystemen, zivilen Radarsystemen und medizinischen Geräten wider."
Wolfspeed ist einer der weltweit führenden Anbieter von GaN-on-SiC-Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMTs; High Electron Mobility Transistors) sowie von integrierten Höchstfrequenzschaltungen (MMICs; Monolithic Microwave Integrated Circuits). Als größter Produzent von GaN-on-SiC RF Wafer-Processing-Technologie in den USA ermöglicht Wolfspeed mit den die GaN-HEMTs und MMICs die Weiterentwicklung von Innovationen sowie eine Verbesserung von Leistung und Effizienz in einem breiten Spektrum von RF- und Mikrowellen-Anwendungen im kommerziellen und militärischen Bereichen.
Mehr Informationen zu den RF-Komponenten von Wolfspeed finden sich auf wolfspeed.com/RF.
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Über CREE
CREE ist ein weltweit führender Hersteller von LED-Chips, LED-Komponenten und LED-Beleuchtungslösungen. Power-Halbleiter und Bausteine für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen ergänzen das Produktportfolio. Das Unternehmen ist seit mehr als 20 Jahren führend in der SiC-MOSFET-Prozess und Designentwicklung. Cree führte die ersten vertikalen SiC-MOSFETs, die ersten SiC-MOSFETs für >600 V, die MOSFETs mit der höchsten je angekündigten Nennspannung (10 kV) sowie zahlreiche Prozessverbesserungen hinsichtlich Interface-Qualität und Zuverlässigkeit von SiC-MOSFETs ein. Cree besitzt bereits über 50 Patente im Bereich mit SiC-MOSFET-Technologien, und zahlreiche weitere Entwicklungen sind zum Patent angemeldet.
Cree verfügt über jahrelange Erfahrung in der Herstellung und Verarbeitung von Siliziumcarbid (SiC) und Galliumnitrit (GaN) und war maßgeblich an der Entwicklung der ersten blauen LED beteiligt, die den Weg für die Herstellung weißer LEDs für allgemeine Beleuchtungsanwendungen ebnete.
Weitere Informationen zum Unternehmen, zu Produkten, Neuigkeiten und Events finden Sie auf der Unternehmenswebseite: www.cree.com.
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Datum: 21.03.2016 - 11:20 Uhr
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