Fujitsu bringt ReRAM mit 12Mbit auf den Markt -- größte Speicherdichte im Bereich ReRAM
ID: 1966313
Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited hat am 15. März die Einführung eines ReRAM-Speichers mit 12 MBit (Resistive Random Access Memory), MB85AS12MT, bekannt gegeben. Evaluierungsmuster sind derzeit verfügbar.
URL:
https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/reram/spi-12m-mb85as12mt.html
Bei dem neuen Produkt handelt es sich um einen nicht-flüchtigen Speicher mit einer großen Speicherdichte von 12Mbit in einem sehr kleinen Gehäuse von etwa 2mm x 3mm. Er verfügt über einen außergewöhnlich niedrigen Lesestrom von durchschnittlich 0,15 mA während des Lesevorgangs. Daher kann der Batterieverbrauch durch die Montage des MB85AS12MT in batteriebetriebenen Geräten mit häufigen Datenlesevorgängen minimiert werden.
Dank des kleinen Gehäuses und des geringen Lesestroms ist das Produkt ideal für den Einsatz in tragbaren Geräten wie Hörgeräten und Smartwatches.
Abb. 1: MB85AS12MT-Pakete (oben und unten)
https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202203148559/_prw_PI1fl_q04dZo1R.jpg
Abb. 2: Beispiele für die ReRAM-Nutzung
https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202203148559/_prw_PI4fl_04Y8S95e.jpg
Der MB85AS12MT arbeitet mit einem weiten Versorgungsspannungsbereich von 1,6 V bis 3,6 V. Die Speicherdichte des neuen ReRAM-Produkts ist 1,5-mal größer als die der bestehenden 8-Mbit-ReRAM. Die Gehäusegröße WL-CSP (Wafer Level Chip Size Package) mit der gleichen Pinbelegung wird beibehalten. Das Produkt kann Zeichendaten für etwa 90 Zeitungsseiten in einem kleinen Paketformat speichern.
Das für den MB85AS12MT verwendete WL-CSP kann im Vergleich zu 8-Pin-SOP, das häufig für Speichergeräte mit Serial Peripheral Interface (SPI) verwendet wird, ungefähr 80 % seiner montierten Fläche einsparen.
Abb. 3: Vergleich der Montagefläche
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Mit den oben genannten Funktionen kann das ReRAM-Produkt folgende Probleme lösen, die sich aus der Verwendung von Flash-Speicher oder EEPROM bei der Entwicklung von tragbaren Geräten ergeben.
Abb. 4: Probleme der Kunden und Lösungen:
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Fujitsu Semiconductor Memory Solution entwickelt weiterhin verschiedene Low-Power-Speicherprodukte, um den Anforderungen der Kunden gerecht zu werden.
Informationen zu Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited
Fujitsu Semiconductor Memory Solution konzentriert sich auf hochwertige und äußerst zuverlässige nichtflüchtige Speicher wie Ferroelectric Random-Access Memory (FRAM) und Resistive Random-Access Memory (ReRAM). Es hat seinen Hauptsitz in Yokohama und wurde am 31. März 2020 als Tochtergesellschaft von Fujitsu Semiconductor Limited gegründet. Durch sein weltweites Vertriebs- und Entwicklungsnetzwerk mit Standorten in Japan und in ganz Asien, Europa und Amerika bietet das Unternehmen Halbleiterspeicherlösungen für den weltweiten Markt an.
Weitere Informationen finden Sie unter: https://www.fujitsu.com/jp/fsm/en/
Pressekontakt:
Michio UMETSU,
Marketingabteilung,
Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited,
Tel.: +81-45-565-9123,
E-Mail: fsm-web-inquiry@dl.jp.fujitsu.com
Original-Content von: Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited, übermittelt durch news aktuell
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Unternehmensinformation / Kurzprofil:
Datum: 16.03.2022 - 17:37 Uhr
Sprache: Deutsch
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Stadt:
Yokohama, Japan, 16. März 2022
Kategorie:
Softwareindustrie
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