DGAP-News: Micron kuendigt Musterverfuegbarkeit fuer seinen RLDRAM(R)-Speicher der dritten Generation an
ID: 414275
27.05.2011 00:31
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Unternehmen stellt Integrated Silicon Solution, Inc. Als Second-Source-Partner
vor
BOISE, Idaho, 2011-05-27 00:30 CEST (GLOBE NEWSWIRE) --
Micron Technology, Inc., (Nasdaq: MU) hat heute die Verfuegbarkeit frueher
Prototypen der dritten Generation seines DRAMs (RLDRAM-3-Speicher) mit
reduzierter Latenzzeit bekannt gegeben. RLDRAM 3 ist eine Speichertechnologie
mit hoher Bandbreite, die im Netzwerk einen effizienteren Datentransfer
ermoglicht. Der fuer hochleistungsfaehige Netzwerkanwendungen, wie z. B.
High-End-Router und -Switches, die unmittelbar aufeinanderfolgende
LESE-/SCHREIB-Operationen oder den vollstaendigen Direktzugriff erfordern,
entwickelte RLDRAM-3-Speicher eignet sich optimal fuer 40-Gigabit-Ethernet-
(GbE) und 100-GbE-Ausfuehrungen, Paket-Pufferspeicherung und -UEberpruefung sowie
Lookup-Tabellen. Darueber hinaus bietet der RLDRAM-3-Speicher erhebliche
Verbesserungen in Sachen Geschwindigkeit, Dichte, Latenz und Stromverbrauch.
Die Verbreitung internetbasierter Videodienste, wie z. B. IPTV und
Video-on-Demand, fuehrt zusammen mit dem Wachstum in den Bereichen mobile
Anwendungen und Cloud Computing zu einem erhohten Bedarf an effizienteren
Netzwerkinfrastrukturen, die in der Lage sind, mit den online bewegten
Datenmengen mitzuhalten. RLDRAM-3-Speicher bietet den Netzwerkkunden eine
hochbandbreitige Losung mit geringer Latenz, die die zunehmenden
Protokollgeschwindigkeiten, wie z. B. 100 GbE, unterstuetzt.
RLDRAM-3-Speicher bietet kontinuierliche Datenraten von bis zu 2.133 Megabit
pro Sekunde (Mbit/s) sowie die branchenweit niedrigste Direktzugriffslatenz von
unter 10 Nanosekunden. Er bietet dank der bekannten 1,2-V-IO- und
1,35-V-Kernspannungsebenen ausserdem eine bessere Energieeffizienz.
'Bei Micron wissen wir um den Druck, unter dem die Kunden heutzutage stehen.
Zum einen muss die eigene Netzwerktechnologie so optimiert werden, dass sie das
wachsende Datenvolumen unterstuetzt, und zum anderen muss die damit
zusammenhaengende Komplexitaet der sich veraendernden Infrastruktur bewaeltigt
werden', so Bruce Franklin, Leiter fuer Geschaeftsentwicklung in den Bereichen
Netzwerk und Speicher bei Microns DRAM Solutions Group. 'Der RLDRAM-3-Speicher
ist eine hochbandbreitige Losung mit geringer Latenz, die viel Spielraum fuer
die steigenden Kundenanforderungen im Bereich Netzwerkspeicher bietet.'
Des Weiteren hat Micron heute ebenfalls bekannt gegeben, dass Integrated
Silicon Solution, Inc. (ISSI) als zusaetzlicher Lieferant von Microns
RLDRAM-3-Speicher fungieren wird, wodurch fuer die Netzwerkkunden das
kommerzielle Volumen und die Dauerhaftigkeit sichergestellt werden.
'Durch die enge Zusammenarbeit mit Micron werden wir in der Lage sein, den
Bedarf unserer Kunden an RLDRAM-3-Speicher zu decken', so Pat Laserre, Leiter
strategisches Marketing bei ISSI. 'Wir freuen uns sehr, dem Kundenwunsch nach
langfristigem Support fuer spezialisierte Hochleistungsspeichertechnologien, der
durch Netzwerkstandards wie 100 GbE vorangetrieben wird, dank der Erweiterung
unseres Angebots um RLDRAM 3 entsprechen zu konnen.'
Produktverfuegbarkeit
Informationen ueber den Bezug von RLDRAM-3-Prototypen finden Sie auf unserer
Website. Micron wird voraussichtlich im zweiten Halbjahr 2011 mit der
Produktion des RLDRAM-3-Speichers beginnen.
Weiterfuehrende Links
UEber die folgenden Links konnen Sie sich ueber Neuigkeiten bei Micron und
Crucial informieren:
-- Micron Innovations Blog: www.micronblogs.com
-- Micron auf Twitter: http://twitter.com/microntechnews und
http://twitter.com/realssd
-- Micron in der Presse: www.micron.com/media
UEber Micron
Micron Technology, Inc. ist einer der weltweit fuehrenden Anbieter von modernen
Halbleiterlosungen. Im Rahmen seiner weltweiten Aktivitaeten produziert und
vermarktet Micron DRAM-Speicher, NAND- und NOR-Flash-Speicher sowie weitere
innovative Speichertechnologien, Verpackungslosungen und Halbleitersysteme fuer
den Einsatz in erstklassigen Computer-, Verbraucher- und Netzwerkprodukten
sowie integrierten und mobilen Geraeten. Die Stammaktien des Unternehmens werden
an der NASDAQ unter dem Kuerzel MU gehandelt. Weitere Informationen ueber Micron
Technology, Inc. finden Sie unter www.micron.com.
Das Logo von Micron Technology, Inc. ist erhaeltlich unter
http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=6950
?2011 Micron Technology, Inc. Alle Rechte vorbehalten. AEnderungen ohne
Vorankuendigung vorbehalten. 'Micron' und das Micron-Logo sind eingetragene
Marken von Micron Technology, Inc. Saemtliche weiteren Marken sind das Eigentum
der jeweiligen Inhaber.
Diese Pressemitteilung enthaelt zukunftsorientierte Aussagen hinsichtlich der
RLDRAM-3-Produktion. Tatsaechliche Ereignisse oder Ergebnisse konnen deutlich
von den gemachten Aussagen abweichen. Bitte beachten Sie die Dokumente, die
Micron auf konsolidierter Basis von Zeit zu Zeit bei der
US-Borsenaufsichtsbehorde (Securities and Exchange Commission) einreicht,
insbesondere Microns aktuelle Formulare 10-K und 10-Q. Diese Dokumente
beinhalten und spezifizieren wichtige Faktoren, die dazu fuehren konnten, dass
Microns Ergebnisse auf konsolidierter Basis erheblich von den in unseren
zukunftsorientierten Aussagen gemachten Angaben abweichen (siehe 'Certain
Factors', Bestimmte Faktoren). Obwohl wir die in den zukunftsorientierten
Aussagen genannten Erwartungen fuer realistisch halten, konnen wir keine
zukuenftigen Ergebnisse, Aktivitaetsniveaus, Leistungen oder Ausfuehrungen
garantieren.
KONTAKT: Dan Francisco
dfrancisco@micron.com
208-368-5584
News Source: NASDAQ OMX
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Sprache: Deutsch
Unternehmen: Micron Technology, Inc.
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