ROHM Semiconductor bietet lückenlose Palette schneller MOSFETs mit hoher Spannungsfestigkeit

Das neue Portfolioüberzeugt durch hohe Leistungsfähigkeit, Kompaktheit und verschiedene Montage-Konfigurationen

(firmenpresse) - Willich-Münchheide, 7.6. 2011 - ROHM Semiconductor hat seine populäre Palette von MOSFETs mit hoher Schaltgeschwindigkeit und großer Spannungsfestigkeit, die für PFC-Schaltungen (Leistungsfaktor-Korrektur) in Schaltnetzteilen und netzbetriebenen Schaltungen vorgesehen sind, weiter ausgebaut. Die Bauelemente sind in einer Vielzahl von Gehäusekonfigurationen für Oberflächenmontage (CPT/D-PAK, LPT/D2-PAK) und Einsteckmontage (z. B. TO3-PF) verfügbar. Die neue Serie macht ihrem Namen "PrestoMOS" alle Ehre, denn sie bringt es dank kurzer Sperrverzögerungszeiten (trr) auf hohe Schaltgeschwindigkeit, einen hohen Wirkungsgrad und niedrige Verluste, wodurch sie sich ideal für integrierte Wechselrichter, Beleuchtungen, Motortreiber, Solar-Batterien, Power Conditioner, Hochfrequenz-Brückenschaltungen und alle anderen Anwendungen eignet, die nach hoher Leistungsfähigkeit verlangen.

Die PrestoMOS?-Familie: Schnelle MOSFETs mit hoher Spannungsfestigkeit
Gestützt auf eine ionenbasierte Produktionstechnologie nach dem neuesten Stand der Technik sowie auf neue Hochspannungs-Prozesse, erzielt die PrestoMOS-Serie einen unerreicht geringen On-Widerstand, einen niedrigen Qg-Wert und eine hohe Schaltgeschwindigkeit, was die Wechselrichter-Effizienz verbessert und den externen Bauteileaufwand verringert. Da die eingebaute Body-Diode mit niedrigem trr-Wert den Verzicht auf eine externe Fast-Recovery-Diode (FRD) ermöglicht, wird nur wenig Leiterplattenfläche benötigt, was ideale Voraussetzungen für miniaturisierte Applikationen bietet. Verglichen mit konventionellen Produkten für 600 V/8 A wurde nicht nur der trr-Wert entscheidend verbessert, sondern auch das Irr-Verhältnis und die Verluste. Eine Power-Conditioner-Schaltung benötigt beispielsweise nur vier Bauelemente und kommt ohne externe FRDs aus.

Schnelle Schalt-MOSFETs
Die neueste Serie schneller Schalt-MOSFETs von ROHM basiert auf Prozessen mit hoher Spannungsfestigkeit. Die Bauelemente zeichnen sich verglichen mit herkömmlichen Produkten durch einen um nicht weniger als 50 % geringeren On-Widerstand und eine um 40 % reduzierte Gateladung (Qg) aus, während die Schaltgeschwindigkeit um etwa 30 % verbessert wurde. Die reduzierte Wärmeentwicklung im Schaltbetrieb ermöglicht kompaktere Designs und senkt die Kosten.



Wichtige Merkmale auf einen Blick
- Verbesserung des trr-Werts um bis zu 80 %
- Verbesserter lrr-Wert, niedriger Qg-Wert, geringer On-Widerstand
- Integrierter IGBT mit FRD senkt den Bauteileaufwand, ermöglicht stärkere Miniaturisierung und steigert den Wirkungsgrad

Versionen mit größerer Stromfestigkeit und Hochleistungs-Gehäusen befinden sich in der Entwicklung.

Weitere Infos zu dieser Pressemeldung:

Themen in dieser Pressemitteilung:


Unternehmensinformation / Kurzprofil:
PresseKontakt / Agentur:
Bereitgestellt von Benutzer: Adenion
Datum: 08.06.2011 - 09:11 Uhr
Sprache: Deutsch
News-ID 420884
Anzahl Zeichen: 2865

Kontakt-Informationen:
Ansprechpartner: Media Division
Stadt:

Willich-Münchheide

Telefon: +49 2154 921 0

Kategorie:

Elektro- und Elektronik

Meldungsart:
Anmerkungen:


Diese Pressemitteilung wurde bisher 984 mal aufgerufen.

ROHM Semiconductor gibt die Namensänderung seiner Tochtergesellschaft OKI Semiconductor in Lapis Semiconductor bekannt ...
ROHM Semiconductor gab bekannt, dass die OKI Semiconductor Co., Ltd., ein Unternehmen der ROHM-Gruppe, ihren Firmennamen in Lapis Semiconductor Co., Ltd. ändert. Die Namensänderung ist zum 1. Oktober 2011 wirksam, drei Jahre nachdem die ROHM Co., Ltd. den Bereich OKI Semiconductor von der OKI Elec

ROHM Semiconductor stellt die nichtisolierten 3-Pin-Hochleistungs-Gleichspannungswandlermodule der Serie BP5277 vor ...
Willich-Münchheide, 6. September 2011 - ROHM präsentiert seine neue Gleichspannungswandlermodul-Familie BP5277, die mit hoher Spannungsfestigkeit und hohem Wirkungsgrad aufwartet, ohne externe Bauelemente auskommt und kein thermisches Design erfordert. Das Konfigurieren eines DC/DC-Wandlers gest

ROHM Semiconductor stellt die neue EXCELED?-Serie vor ...
Willich-Münchheide, Juli 2011 - ROHM Semiconductor präsentiert seine neue LED-Familie EXCELED?(1), die auf originaler "Chip" und Phosphortechnologie, verbunden mit verfeinerter Wellenlängen-Sortierung sowie 4-Elemente-Chips und Waferverarbeitung basiert. Die neuen Bausteine vereinfache

Weitere Mitteilungen von ROHM Semiconductor GmbH

Shop für effiziente und hochqualitative LED Leisten ...
Die LED Leisten UG (http://www.leiste.de/) ist ein junges, aufstrebendes Unternehmen und ist Experte für LED Leisten und ähnliche LED Produkte. Unser Online Angebot beinhaltet zahlreiche LED Leisten verschiedenen Typs und den dazugehörigen Zubehör. Wir wollen alle Interessenten vor allem durch h

Individuelle Elektroniklösungen: Von der Entwicklung bis zur Fertigung ...
Maßgeschneiderte Elektroniklösungen sorgen für einen geringeren Kosten- und Arbeitsaufwand - und zugleich für mehr Professionalität am Arbeitsplatz bzw. auf dem jeweiligen Geschäftsgebiet. Dabei gilt es, einen Partner zu finden, der die individuellen Bedürfnisse und Vorgaben erkennt und mit e

Leipold Gruppe intensiviert Vertrieb neuer Systemkomponenten in Osteuropa ...
Die Leipold Gruppe intensiviert ihre Vertriebsaktivitäten im osteuropäischen Raum: Der in Tschechien beheimatete Großimporteur Eleman spol. s r.o. übernimmt ab sofort die Distribution der neu konzipierten Systemkomponenten. Diese wurden der Elektrotechnikbranche erstmals im April dieses Jahres

FeRAM - die nicht-flüchtige Speicherlösung von ROHM Semiconductor ...
Willich-Münchheide, 6. Juni 2011 - OKI Semiconductor, ein Unternehmen der ROHM-Gruppe, entwickelt eine neue Speichertechnologie mit der Bezeichnung "Ferroelectric RAM" (FeRAM). Die neue Serie ergänzt das existierende, aus EEPROM, DRAM und P2ROM bestehende Speicher-Portfolio von ROHM. F