Neue C-Band GaN-HEMT-Verstärker für VSAT-Anwendungen von Mitsubishi Electric
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Neue C-Band GaN-HEMT-Verstärker für VSAT-Anwendungen von Mitsubishi Electric
Der Wirkungsgrad (Power-Added Efficiency, PAE) der beiden neuen Bausteine beträgt
mehr als 43 % bei einer Versorgungsspannung von 40 V. Dank der guten Linearität des GaN-Prozesses kann der 100-W-Baustein bei einer Ausgangsleistung von 46 dBm eine Intermodulation 3. Ordnung (IM3) von -25 dBc erreichen.
GaN-Verstärker sind aufgrund ihrer hohen Durchbruchspannung und Leistungsdichte sowie der hohen Elektronensättigungsgeschwindigkeit sehr interessant. Auch ihr Energie ¬Einsparpotenzial und die Möglichkeit, die Größe von Transmittern zu reduzieren, machen GaN-Verstärker sehr attraktiv. GaN-Verstärker bieten somit ideale Eigenschaften, die in diesen Anwendungen sonst üblichen GaAs-Verstärker zu ersetzen.
Ãœber Mitsubishi Electric
Seit 90 Jahren versorgt Mitsubishi Electric Corporation sowohl Unternehmenskunden, als auch Endverbraucher auf der ganzen Welt mit qualitativ hochwertigen Produkten aus den Bereichen Informationsverarbeitung und Kommunikation, Weltraumentwicklung und Satellitenkommunikation, Unterhaltungselektronik, Industrietechnologie, Energie, Transport- und Bauwesen. Mit rund 114.000 Mitarbeitern erzielte das Unternehmen zum Ende des Geschäftsjahrs am 31.03.2011 einen konsolidierten Umsatz von 32,2 Milliarden Euro.
Seit 1978 ist Mitsubishi Electric auch in Deutschland vertreten. Das hundertprozentige Tochterunternehmen des japanischen Konzerns mit Sitz in Ratingen bei Düsseldorf steuert Vertriebs- und Marketingaktivitäten für neun Geschäftsbereiche in vielen europäischen Ländern.
Weitere Informationen zum Unternehmen erhalten Sie unter
global.mitsubishielectric.com
www.MitsubishiElectric.de
Pressekontakt:
MITSUBISHI ELECTRIC EUROPE B.V.
Semiconductor European Business Group
Judith Seifert
Gothaer Straße 8
D-40880 Ratingen
Telefon: +49 (21 02) 486-5270
semis.info@meg.mee.com
www.mitsubishichips.eu
Datum: 24.01.2012 - 15:45 Uhr
Sprache: Deutsch
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