Mega Power Dual-IGBT Module der sechsten Generation von Mitsubishi Electric
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Mega Power Dual-IGBT Module der sechsten Generation von Mitsubishi Electric
Mit den Carrier-Stored Trench-Gate Bipolar Transistoren (CSTBT) der sechsten Generation verringert sich die Kollektor-Emitter Sättigungsspannung im Vergleich zu den MPD-Modulen der fünften Generation um ca. 15 %. Gleichermaßen konnte die Gate-Kapazität um 30-50 % verringert werden. Zudem erhöht sich die maximal zulässige Sperrschicht-Temperatur auf
175 °C.
Die neuen MPD IGBT-Module der sechsten Generation sind in Bezug auf AbmesÂsungen, Form und Pinkonfiguration kompatibel zu den MPD-Modulen der fünften Generation, wobei die Isolationsspannung auf 4000 V erhöht wurde. Die Module der neuen Serie sind erhältlich in den Varianten CM900DUC-24S (1200 V/900 A), CM1400DUC-24S (1200 V/1400 A) und CM1000DUC-34SA (1700 V/1000 A).
Die neue IGBT-Serie erfüllt alle Anforderungen der RoHS-Direktive.
Als Teil der Anstrengungen zur Begrenzung der weltweiten Klimaerwärmung durch die Reduktion von Kohlendioxid (CO2) Emissionen gewinnt die Stromerzeugung aus erneuerbaren Energien wie Wind- und Sonnenenergie zunehmend an Bedeutung. Die MPD-Serie der sechsten Generation wurde für den zunehmenden Bedarf nach effizienten und zuverlässigen Systemen zur Energiewandlung im Megawatt-Bereich entwickelt. Mega Power Dual Module der vorangegangenen fünften Generation sind bereits seit 2002 erfolgreich im Einsatz.
Pressekontakt:
MITSUBISHI ELECTRIC EUROPE B.V.
Semiconductor European Business Group
Judith Seifert
Gothaer Straße 8
D-40880 Ratingen
Telefon: +49 (21 02) 486-0
semis.info@meg.mee.com
www.mitsubishichips.eu
Datum: 08.05.2012 - 18:45 Uhr
Sprache: Deutsch
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