Mega Power Dual-IGBT Module der sechsten Generation von Mitsubishi Electric
ID: 633979
Mega Power Dual-IGBT Module der sechsten Generation von Mitsubishi Electric
Mit den Carrier-Stored Trench-Gate Bipolar Transistoren (CSTBT) der sechsten Generation verringert sich die Kollektor-Emitter Sättigungsspannung im Vergleich zu den MPD-Modulen der fünften Generation um ca. 15 %. Gleichermaßen konnte die Gate-Kapazität um 30-50 % verringert werden. Zudem erhöht sich die maximal zulässige Sperrschicht-Temperatur auf
175 °C.
Die neuen MPD IGBT-Module der sechsten Generation sind in Bezug auf AbmesÂsungen, Form und Pinkonfiguration kompatibel zu den MPD-Modulen der fünften Generation, wobei die Isolationsspannung auf 4000 V erhöht wurde. Die Module der neuen Serie sind erhältlich in den Varianten CM900DUC-24S (1200 V/900 A), CM1400DUC-24S (1200 V/1400 A) und CM1000DUC-34SA (1700 V/1000 A).
Die neue IGBT-Serie erfüllt alle Anforderungen der RoHS-Direktive.
Als Teil der Anstrengungen zur Begrenzung der weltweiten Klimaerwärmung durch die Reduktion von Kohlendioxid (CO2) Emissionen gewinnt die Stromerzeugung aus erneuerbaren Energien wie Wind- und Sonnenenergie zunehmend an Bedeutung. Die MPD-Serie der sechsten Generation wurde für den zunehmenden Bedarf nach effizienten und zuverlässigen Systemen zur Energiewandlung im Megawatt-Bereich entwickelt. Mega Power Dual Module der vorangegangenen fünften Generation sind bereits seit 2002 erfolgreich im Einsatz.
Pressekontakt:
MITSUBISHI ELECTRIC EUROPE B.V.
Semiconductor European Business Group
Judith Seifert
Gothaer Straße 8
D-40880 Ratingen
Telefon: +49 (21 02) 486-0
semis.info@meg.mee.com
www.mitsubishichips.eu
Datum: 08.05.2012 - 18:45 Uhr
Sprache: Deutsch
News-ID 633979
Anzahl Zeichen: 2407
pressrelations.de – ihr Partner für die Veröffentlichung von Pressemitteilungen und Presseterminen, Medienbeobachtung und Medienresonanzanalysen
Diese Pressemitteilung wurde bisher 304 mal aufgerufen.
Die Pressemitteilung mit dem Titel:
"Mega Power Dual-IGBT Module der sechsten Generation von Mitsubishi Electric"
steht unter der journalistisch-redaktionellen Verantwortung von
Mitsubishi Electric b. v. (Nachricht senden)
Beachten Sie bitte die weiteren Informationen zum Haftungsauschluß (gemäß TMG - TeleMedianGesetz) und dem Datenschutz (gemäß der DSGVO).
Intuitive Bedienung durch projektiv kapazitive Touch Panels sowie brillante Bildwiedergabe sind die augenscheinlichsten Merkmale der beiden Neuentwicklungen von Mitsubishi Electric. Die TFT-LCD-Module AA150XT11-PCAP (15 Zoll, XGA) und AA190EA01-PCAP (19 Zoll, SXGA) sind nun weltweit erhältlich.
Mitsubishi Electric stellt neue intelligente Leistungshalbleitermodule (J-Serie) für den Einsatz in Elektro- und Hybridfahrzeugen vor ...
Ratingen, 13. Mai 2013 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) kündigt auf der PCIM 2013 in Nürnberg (14. - 16. Mai) die Entwicklung einer Serie hochleistungsfähiger Intelligenter Power Module (IPM) an, die vorrangig für den Einsatz in Elektro- und Hybridfahrzeugen bestimmt sind. Auf
Mega Power Dual-IGBT Module der sechsten Generation von Mitsubishi Electric ...
Ratingen, 8. Mai 2012 ? Mitsubishi Electric präsentiert seine Mega Power Dual- (MPD) IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Module der sechsten Generation. Diese Module sind auf den Einsatz in Wechselrichtern großer Photovoltaik- und Windkraftanlagen ausgerichtet, eignen sich aber auch hervorrag
Weitere Mitteilungen von Mitsubishi Electric b. v.
Mitsubishi Electric präsentiert 600 V HVIC für den Einsatz in Automobilelektronik ...
ai 2012 ? Mitsubishi Electric stellt mit dem M81729JFP ein neues 600 V HVIC (High Voltage Integrated Circuit) für den Einsatz in Spannungswandlern für Elektrofahrzeuge (EV ? Electric Vehicles) und hybrid-elektrische Fahrzeuge (HEVs) vor. EVs und HEVs nutzen Leistungshalbleiter in ihren Spannungs
Neuer 1200 V/50 A Large-Type DIPIPM von Mitsubishi Electric ...
Ratingen, 8. Mai 2012 ? Mitsubishi Electric präsentiert ein 1200 V Large-Type Transfer-Molded DIPIPM (Dual Inline Package Intelligent Power Module) der Version 4 (PS22A79) mit einem für diese Bauweise in der Industrie einmaligen Nennstrom von 50 A. Das neue Power-Modul ist für den Einsatz in Komp
Mega Power Dual-IGBT Module der sechsten Generation von Mitsubishi Electric ...
Ratingen, 8. Mai 2012 ? Mitsubishi Electric präsentiert seine Mega Power Dual- (MPD) IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Module der sechsten Generation. Diese Module sind auf den Einsatz in Wechselrichtern großer Photovoltaik- und Windkraftanlagen ausgerichtet, eignen sich aber auch hervorrag
Union verschläft Modernisierung von Diensten an Menschen ...
Anlässlich einer fraktionsinternen Anhörung zum Thema "Miteinander der Generationen - Dienst am Menschen" am 7. Mai 2012 erklären die Sprecher der Arbeitsgruppe Demografischer Wandel der SPDBundestagsfraktion Sabine Bätzing-Lichtenthäler und Franz Müntefering: In vielen Regionen
