Neuer 1200 V/50 A Large-Type DIPIPM von Mitsubishi Electric
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Neuer 1200 V/50 A Large-Type DIPIPM von Mitsubishi Electric
Der Baustein PS22A79 nutzt die neu entwickelten Chips der sechsten Generation mit LPT-CSTBT (Light-Punch Trough Carrier Stored Trench-gate Bipolar) TransisÂtoren. Diese Transistoren bieten dank einer Verringerung des Zellenabstands und der Verwendung von dünnen "Wafer" ein verbessertes Verhältnis von Durchlass- und Schaltverlusten im IGBT-Chip. Im Vergleich zu IGBTs der vorhergehenden fünften Generation konnten die Leistungsverluste beim aktuellen Modul um 15 % verringert werden.
Gegenüber den Kennwerten des bestehenden Modells PS22A78-E (35A) bietet der im Modul integrierte Temperatursensor deutlich verbesserte Linearität und Genauigkeit, was eine effizientere Kontrolle der Sperrschichttemperatur ermöglicht. Für Hersteller bietet dies den Vorteil, ihre Umrichter-Systeme weiter zu verkleinern und dadurch geringere Fertigungskosten erzielen zu können.
Zur Realisierung von Energieeinsparungen und Leistungsverbesserungen kommen in umrichtergespeisten Motorantrieben zunehmend Leistungshalbleitermodule mit Nennströmen von einigen Ampere bis zu mehreren hundert Ampere zum Einsatz.
DIPIPM, Transfer Molded Intelligent Power Module, die im Jahre 1997 erstmals weltweit von Mitsubishi Electric eingeführt wurden, kommen heute in den verschieden mit Umrichtern ausgestatteten Geräten zum Einsatz. Beispiele dafür sind Klimaanlagen, Kühlschränke und Waschmaschinen sowie AC-Motorantriebe für den industriellen Einsatz.
Die 1200 V Large-Type DIPIPM-Serie der Version 4 von Mitsubishi Electric mit Nennströmen von 5 - 50 A ermöglicht eine Verringerung der Umrichter-Baugröße und gewährleistet eine bessere Kosteneffizienz beim Endanwender.
Pressekontakt:
MITSUBISHI ELECTRIC EUROPE B.V.
Semiconductor European Business Group
Judith Seifert
Gothaer Straße 8
D-40880 Ratingen
Telefon: +49 (21 02) 486-0
semis.info@meg.mee.com
www.mitsubishichips.eu
Datum: 08.05.2012 - 18:45 Uhr
Sprache: Deutsch
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